Os microchips são feitos usando uma grande variedade de etapas do processo. Existem basicamente dois componentes principais para cada etapa - mascarar áreas para operar e, em seguida, executar alguma operação nessas áreas. A etapa de mascaramento pode ser realizada com várias técnicas diferentes. O mais comum é chamado fotolitografia. Nesse processo, a bolacha é revestida com uma camada muito fina de produto químico fotossensível. Essa camada é então exposta em um padrão muito complexo, projetado de uma máscara com luz de comprimento de onda curto. O conjunto de máscaras usadas determina o design do chip, eles são o produto final do processo de design do chip. O tamanho do recurso que pode ser projetado no revestimento fotorresistente da bolacha é determinado pelo comprimento de onda da luz usada. Depois que o fotorresistente é exposto, ele é desenvolvido para expor a superfície subjacente. As áreas expostas podem ser operadas por outros processos - por exemplo, ataque químico, implantação de íons etc. Se a fotolitografia não tiver resolução suficiente, existe outra técnica que utiliza feixes de elétrons focados para fazer a mesma coisa. A vantagem é que não são necessárias máscaras, pois a geometria é simplesmente programada na máquina, porém é muito mais lenta, pois a viga (ou vigas múltiplas) deve traçar cada recurso individual.
Os próprios transistores são construídos a partir de várias camadas. Atualmente, a maioria dos chips é CMOS, então descreverei brevemente como construir um transistor MOSFET. Esse método é chamado de método 'portão auto-alinhado', pois o portão é colocado antes da fonte e drenado, de modo que qualquer desalinhamento no portão seja compensado. O primeiro passo é estabelecer os poços nos quais os transistores são colocados. Os poços convertem o silício no tipo correto para a construção do transistor (você precisa construir um MOSFET de canal N em silício tipo P e um MOSFET de canal P em silício tipo N). Isso é feito estabelecendo uma camada de fotorresiste e, em seguida, usando o implante de íons para forçar íons para dentro da bolacha nas áreas expostas. Então o óxido do portão é cultivado em cima da bolacha. Nos chips de silício, o óxido usado é geralmente dióxido de silício - vidro. Isso é feito assando o chip em um forno com oxigênio a alta temperatura. Em seguida, uma camada de polissilício ou metal é revestida sobre o óxido. Essa camada formará o portão depois de gravada. Em seguida, uma camada fotorresiste é colocada e exposta. As áreas expostas são gravadas, deixando os portões do transistor. Em seguida, outra rodada de fotolitografia é usada para mascarar as regiões das fontes e drenos dos transistores. O implante de íons é usado para criar a fonte e drenar os eletrodos nas áreas expostas. O próprio eletrodo de porta atua como uma máscara para o canal do transistor, garantindo que a fonte e o dreno sejam dopados exatamente na borda do eletrodo de porta. Em seguida, a bolacha é assada para que os íons implantados trabalhem levemente sob o eletrodo da porta. Depois disto,
Desenterrei alguns vídeos decentes que são de fato vídeos educacionais e não de relações públicas:
http://www.youtube.com/watch?v=35jWSQXku74
http://www.youtube.com/watch?v=z47Gv2cdFtA