Os MOSFETs apresentam queda de tensão na fonte e drenam quando ligados?

Como o diodo e o BJT com queda de cerca de 0,6V, há alguma queda de tensão no dreno e na fonte do MOSFET quando o MOSFET está ligado? Na folha de dados, eles mencionam queda de tensão direta no diodo, mas presumo que seja apenas para o diodo do corpo.

O MOSFET se comporta como um resistor quando LIGADO (ou seja, quando Vgs é grande o suficiente; verifique a folha de dados). Procure na folha de dados o valor desse resistor. Chama-se Rds (ativado). Pode ser uma resistência muito pequena, muito menor que um Ohm. Depois de conhecer a resistência, você pode calcular a queda de tensão com base no fluxo de corrente.

MOSFET: Quando a tensão do portão é grande em relação à tensão limite Vth, a queda de tensão do dreno para a fonte depende linearmente da corrente (para pequenas tensões << Vth do MOSFET), por isso se comporta como um resistor. A resistência é menor quando o MOSFET é mais aprimorado, portanto, uma tensão mais positiva em uma porta MOSFET de canal n em relação à fonte. O resistor equivalente pode ser dezenas de ohms para um MOSFET pequeno até miliohms para um MOSFET de grande potência. Da folha de dados 2N7000você pode ver que, para uma tensão de porta de 4V e um Vds <0,5V, a resistência é de alguns ohms (típico, o pior caso seria muito mais do que isso). Normalmente, a 50mA, talvez caísse em 100mV. (A resistência Rds (on) é a inclinação das curvas próximas à origem). O RDS (ativado) aumenta muito com a alta temperatura, portanto, tenha cuidado ao usar as especificações de 25 ° C. Se você não fornecer tensão de porta suficiente (muitos MOSFETs são especificados em 10V, alguns em 4,5 e menos em 1,8 ou 2,5), você pode obter um Rds muito mais alto (ativado).

BJT: A queda de tensão do coletor para o emissor depende da corrente, mas não linearmente. Com baixa corrente e alta corrente de base, o BJT pode ter uma queda de tensão de dezenas de milivolts. Na folha de dados 2N3904, é possível ver as características quando Ib = Ic / 10. Você pode ver que em uma corrente de 50mA, por exemplo, há uma queda de tensão de cerca de 90mV, muito semelhante ao 2N7000. Vce (sat) é a especificação relevante. É bastante estável com a temperatura, mas você deve fornecer bastante corrente de base para a corrente esperada do coletor. Se você não fornecer corrente base suficiente, a tensão do coletor para o emissor poderá aumentar bastante. Com mais do que a tensão de base, não é mais considerado saturado.

Uma diferença interessante entre os dois é que o MOSFET baixa quase exatamente a tensão zero na corrente zero, enquanto o BJT cai talvez 10 mV na corrente zero do coletor (supondo que você coloque alguma corrente razoável na base - o que não se reflete na curva acima). Isso faz do MOSFET geralmente um switch superior para aplicações de instrumentação de precisão, onde 10 mV é um grande negócio.

Eu acho que você está comparando duas coisas diferentes.

A queda de 0,6V que você normalmente vê em um BJT é a junção BE (base ao emissor).

Para um mosfet, uma analogia semelhante não existe. GS (gate to source) sempre será qualquer que seja a tensão do gate em relação à fonte.

Para um coletor BJT emitir, isso varia dependendo da corrente do coletor e do resistor coletor ou emissor.

Para um mosfet, existe um paramater chamado Rds (on), que é a resistência entre a fonte e o dreno. Portanto, a tensão DS (drenar para a fonte), como a tensão CE, variará dependendo da corrente.