Resistores de tração desnecessários nos transistores BJT e FET?

Normalmente, vejo resistores fracos na base dos transistores NPN. Muitos sites eletrônicos até recomendam fazer essas coisas, geralmente especificando o valor como algo como 10x o resistor limitador de corrente base.

Os transistores bipolares são acionados por corrente; portanto, se a base for deixada flutuando, não vejo necessidade de puxá-la para o solo.

Além disso, normalmente vejo resistores limitadores de corrente de porta nos FETs.

Eles são acionados por tensão e não há necessidade de limitar a corrente que alimenta o portão.

São essas duas situações exemplos de pessoas confundindo as regras entre transistores (que precisam de resistores limitadores de base) e FETs (que precisam de resistores de tração) ou combinando as regras ou algo assim ...

ou estou faltando alguma coisa aqui?

As razões ficam claras quando você considera não apenas o comportamento ideal dos transistores, mas também seus elementos parasitas.

O resistor de pull-down na base do BJT do tipo npn ajuda a manter a base "baixa" sempre que o elemento acionador do resistor de base deve estar desconectado ou no modo tristado. Sem esse resistor, a carga que entra na base por meio da capacitância entre o coletor e a base ("capacitância de Miller") pode permanecer lá e ligar o transistor.

Existem dois motivos comuns para um resistor de série em um circuito MOSFET. Uma é que o resistor limita a corrente de acionamento e permite algum controle da corrente de carga do gate (pense no gate como um capacitor que precisa ser descarregado / descarregado para ativar ou desativar o MOSFET). Com um resistor cuidadosamente escolhido, você pode obter algum controle sobre os tempos de transição de ativação ou desativação do MOSFET. Às vezes, você ainda usa um resistor paralelo a um diodo e outro resistor para ter diferentes correntes de carga e descarga, ou seja, uma chance de influenciar o tempo de ativação de uma maneira diferente do tempo de desativação. A segunda razão para um resistor de base é que as indutâncias de traço ao redor do MOSFET formam um tanque LC ressonante com as capacitâncias parasitárias do MOSFET. Quando tudo o que você quer é uma transição limpa da tensão do portão (forma de onda retangular), você poderá obter muitos toques na realidade. O toque pode ser tão grave que o MOSFET liga e desliga algumas vezes antes de se estabelecer e, finalmente, obedece ao que o motorista solicita. Um resistor dentro do circuito ressonante LC ao redor do driver de porta é capaz de amortecer essa ressonância e o caminho entre o driver e a porta é o local mais fácil para colocar o resistor. Para circuitos de sinal pequeno, esses resistores podem não ser necessários, mas ao acionar MOSFETs de potência, você absolutamente precisa deles. Um resistor dentro do circuito ressonante LC ao redor do driver de porta é capaz de amortecer essa ressonância e o caminho entre o driver e a porta é o local mais fácil para colocar o resistor. Para circuitos de sinal pequeno, esses resistores podem não ser necessários, mas ao acionar MOSFETs de potência, você absolutamente precisa deles. Um resistor dentro do circuito ressonante LC ao redor do driver de porta é capaz de amortecer essa ressonância e o caminho entre o driver e a porta é o local mais fácil para colocar o resistor. Para circuitos de sinal pequeno, esses resistores podem não ser necessários, mas ao acionar MOSFETs de potência, você absolutamente precisa deles.

Um resistor em série na linha do gate de um MOSFET protegerá o driver (microcontrolador) dos efeitos de toque causados ​​por indutâncias parasitárias.

O valor ideal para Rg depende muito da aplicação. Você deseja que o MOSFET mude o mais rápido possível para minimizar as perdas de comutação, mas não tão rápido que as indutâncias e capacitâncias parasitas associadas ao layout da placa de circuito impresso e a qualquer fiação de uma carga causem picos ou toques altos de tensão di / dt. se um valor otimizado dos controles Rg é ativado, mas diminui muito o desligamento, então uma solução é colocar um diodo através de Rg com seu catodo em direção ao circuito de acionamento do portão. Isso ignorará Rg durante a desativação, acelerando a desativação. A colocação de um resistor em série com o diodo permitirá controlar o tempo de desligamento independentemente da ativação. Leitura adicional (para todos os aspectos da troca de mosfet).

Para alternar cargas pequenas (como 100 mA) ou quando um chip driver MOSFET real é usado, o resistor de porta provavelmente não é necessário.

(Nota: esses links estavam na primeira página de resultados G de "mosfet gate resistor")

$\Omega$

O resistor de base no BJT geralmente é combinado com um pull-up, e essa combinação é usada para definir um ponto de repouso estável . [ nosso professor na faculdade, que não é muito bom em inglês e, aparentemente, apenas vendo a palavra impressa, a pronuncia como "keskent". Demorou um pouco para entender o que ele quis dizer :-) ]

A maioria dos transistores possui uma pequena quantidade de vazamento na base do coletor; se não houver nenhum pull-down, essa corrente será amplificada pelo ganho do transistor. Em situações em que o vazamento não é uma preocupação, o resistor pode ser omitido, mas se a corrente de vazamento for uma preocupação, a adição do resistor pode reduzi-lo.