Os MOSFETs geralmente queimam abertos ou fechados?


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Eu queria saber se um MOSFET de energia falha devido ao superaquecimento, ele geralmente queima como um circuito aberto ou curto-circuito?

Além disso, os danos causados ​​por excesso de temperatura geralmente fazem com que o óxido do portão sopre como baixa resistência (<100 Ohms)?


Depois de mais algumas pesquisas, também encontrei evidências anedóticas que sugerem que os FETs geralmente falham como um curto-circuito aqui .
Adam

Respostas:


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Supondo que minha resposta esteja correta, minha intuição estava errada sobre isso. A resposta curta é que eu esperaria que um MOSFET falhasse como um circuito aberto devido a condições de temperatura excessiva.

Este artigo da Wikipedia sugere que:

Aumento da resistência do dreno à fonte. É observado em dispositivos de alta temperatura e é causado por interações metal-semicondutor, naufrágio e degradação do contato ôhmico.

... pelo menos em circuitos integrados de micro-ondas monolíticos, mas a terminologia parece consistente com os MOSFETs ...

Este outro artigo também sugere que ele falhará, mas por diferentes razões (fundamentalmente mecânicas):

Exatamente o que acontece depende de quão excessivo é o poder. Pode ser um cozimento prolongado. Nesse caso, o MOSFET esquenta o suficiente para literalmente se desoldar. Grande parte do aquecimento do MOSFET em altas correntes está nas derivações - o que pode facilmente se dessoldar sem que o MOSFET falhe! Se o calor for gerado no chip, ele ficará quente - mas sua temperatura máxima geralmente não é restrita ao silício, mas restrita pela fabricação. O chip de silício é ligado ao substrato por solda macia e é bastante fácil derreter isso e escorrer entre o epóxi e o metal do corpo, formando gotículas de solda. Isso pode não destruir o chip!


Obrigado pela resposta! Acho que a partir de sua pesquisa, a resposta é a habitual "depende de muitos fatores". Eu esperava que algumas pessoas tivessem experiências pessoais que também pudessem compartilhar!
Adam

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Geralmente, um MOSFET falhará primeiro. Isso ocorre porque o calor excessivo, por difusão, mistura os dopantes o suficiente para criar um bom condutor em vez das barreiras pn ou np que estavam lá originalmente. Freqüentemente, o óxido do portão também será levado para a difusão, causando um curto entre os três terminais.

Somente se a corrente de curto-circuito após esse primeiro modo de falha for alta o suficiente para explodir os fios de ligação ou o transistor inteiro, haverá um circuito aberto.


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O portão em curto para drenar é um modo de falha muito comum e facilmente testado. Muitas vezes será um curto-circuito ou 10s de ohms. Mosfets que falharam dessa maneira também tendem a destruir o que quer que o IC os esteja dirigindo. Ao suspeitar de mosfets mortos, é a primeira coisa que procuro.


Eu concordo com a resposta. Uma sobrecorrente aplicada ao meu 2N7000 reduziu a resistência do SG para 20 Ohms. DG para 2K.
gstorto
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