Você tem um problema de luxo: existem milhares de FETs adequados para o seu trabalho.
1) o nível lógico. Você tem 5 V e provavelmente menos de 200 mV ou menos quando desligado. O que você precisa é , que é a tensão limite do portão, na qual o FET começa a conduzir. É fornecido para uma corrente específica, na qual você também deve ficar de olho, porque pode ser diferente para FETs diferentes. Útil para você ter no máximo 3 V a 250 µA, como no FDC855N . A 200 mV (ou menos), você terá uma corrente de fuga muito menor que isso. VG S( t h )
2) máximo contínuo. 6.1 A. OK.EuD
3) o : EuD/ VD S
Este é novamente para o FDC855N. Ele mostra a corrente que o FET afundará em uma determinada tensão de porta. Você pode ver que são 8 A para uma tensão de porta de 3,5 V, o que é bom para a sua aplicação.
4) . A resistência ligada determina a dissipação de energia. Para o FDC855N, é no máximo 36 mΩ a 4,5 V de tensão de porta, a 5 V será um pouco menos. A 500 mA, isso causará uma dissipação de 9 mW. Isso é mais do que bom o suficiente. Você pode encontrar FETs com números melhores, mas realmente não há necessidade de pagar o preço extra por eles.RD S( O N)
5) . A tensão máxima da fonte de drenagem. 30 V para o FDC855N, portanto, para o seu aplicativo de 12 V, OK.VD S
6) pacote. Você pode querer um pacote PTH ou SMT. O FDC885N vem em um pacote SuperSOT-6 muito pequeno, o que é bom, dada a baixa dissipação de energia.
Portanto, o FDC855N funcionará bem. Se você quiser, pode dar uma olhada na oferta da Digikey. Eles têm excelentes ferramentas de seleção e agora você conhece os parâmetros a serem observados.