O que é um substituto popular barato e robusto para o MOSFET 2n7000 para uso em projetos de 3,3 Volts? [fechadas]

Quais são os equivalentes populares do 2n7000 para os circuitos MCU de 3,3 Volts para alternar dispositivos de alta tensão?

Antecedentes: para protótipos e experimentos baseados em microcontroladores de 5 Volts, minha solução para baixa frequência, comutação lateral baixa de correntes de 50-200 mA ou dispositivos de 10 a 40 Volts acionados por um pino digital / PWM, tem sido muito barata (US $ 0,05 varejo aqui na Índia) e MOSFET 2n7000 onipresente.

O melhor aspecto do uso deste MOSFET é que eu fiz um monte de PCBs básicos com um resistor de porta de 100 Ohm e pull-down de porta de 10 k, e simplesmente conecte-os a quase qualquer coisa que não seja alta frequência ou alta carga . Simplesmente funciona e é quase à prova de balas. Se eu encontrasse localmente 4 peças de matriz 2n7000, tenho certeza de que também faria blocos de construção de 4 canais.

Ao trabalhar com placas e MCUs de 3,3 Volts (por exemplo, TI MSP430 Launchpad ), qual é a solução de comutação robusta e facilmente disponível , se houver, à qual se recorre para a criação de protótipos rápidos não críticos?

Atualmente , acabo usando 2n7002 , que não liga o suficiente, ou várias partes de IRL / IRLZ, embora elas custem de 10 a 20 vezes mais. O IRL / LZ geralmente não está disponível na "rua do mercado de componentes eletrônicos", onde pego peças aleatórias para minhas prateleiras de componentes pessoais quando não estou trabalhando em uma lista técnica ou em um plano.

O AO3422 sugerido nos comentários a esta pergunta simplesmente não está disponível localmente no varejo.

Quero evitar BJTs para esse fim, pois eles tendem a ficar mais quentes que os MOSFETs e, de qualquer maneira, crio dispositivos de fumaça mágica suficientes.

Eu sei que não há necessariamente uma resposta correta para isso, mas um bom conselho beneficiaria, com certeza, muitas pessoas pulando em dispositivos de 3,3 Volts.

$V_{GS(th)}$$I_D$$V_{DS}$

A única desvantagem é que eles são montados apenas na superfície - você precisará girar um pequeno PCB para usá-los.

O meu favorito para circuitos de 3,3 Volts e até 2,5 Volts é o MOSFET SI4562 , N e P em um único pacote, com Rdson muito menor para os canais N e P do que o 2n7000. Eles não são caros por cerca de US $ 0,37 por peça no eBay. Mesmo se você usar apenas N ou P, é um bom negócio. Ainda é muito mais caro que o 2n7000, mas mesmo assim é um MOSFET muito melhor que o 2n7000. A corrente é de 4 a 6 amperes para cada canal, não miliamperes como 2n7000. Eu fiz um hbridge usando-o para dirigir um motor pequeno e nem estava quente enquanto usava o BJT, estava ficando muito quente.

RDSON para o canal P é de 0,05 ohms e para o canal N é de 0,035 ohms no valor VGS de 2,5 volts.

Minha sugestão é fabricante Diodes Inc DMN4800LSS-13 Descrição MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

em qtde 1K aprox. 17 centavos

E o 2N7002PW da NXP? Basicamente, o mesmo dispositivo com o mesmo preço em um pacote menor (SC-70), mas com um RDSon mais baixo (1 Ohm vs 2,8 Ohm) e deve ligar com mais força, de acordo com os gráficos.

Normalmente, uso apenas o 2N7000 e um resistor de carga de dreno maior (10k ou mais) e é bastante confiável como eu descobri. Eu usei o Raspberry Pi, que praticamente não pode obter ou consumir corrente (7mA no máximo ou a placa de US $ 35 é brinde), então meus projetos são geralmente salpicados com 2N7000s e com uma carga de drenagem mais alta, e as peças CMOS a jusante são bastante confiáveis.